Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 soll eine Beschränkung auf einige

soll eine Beschränkung auf einige ausgewählte Aspekte erfolgen

bedarf es der Analyse verschiedenster Faktoren

In der bisherigen wissenschaftlichen Literatur zeigt sich ein [¿]

deren Auswirkung in der anwachsenden Zahl von Insolvenzen (vgl

Diese Diplomarbeit wurde im Rahmen des SAP BW Projektes

Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 soll eine Beschränkung auf einigeInhaltsangabe: Problemstellung: In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflchen von III V Halbleitern in zunehmendem Mae mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberflchen mssen beim Transport durch die Atmosphre vor Verunreinigungen und Oxidation geschtzt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. [1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE Kammer mit einem dicken Film